Hynix公布其2Gb移动存储芯片

Hynix周三宣布他们开发出了世界上第一款2Gb移动RAM芯片,采用54纳米制程,带宽可达400Mb/s,一组芯片速度可高达1.6Gb/s.
这对于手机,MP3播放器等移动设备的存储器来说是一个巨大的进步,这意味着设备可以更小并且更节能,同时一部分MID设备和超便携电脑也将从中受益,预计2009年上半年开始量产.